SI7409ADN-T1-E3
SI7409ADN-T1-E3
Modelo do Produto:
SI7409ADN-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
72683 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI7409ADN-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:19 mOhm @ 11A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8
Outros nomes:SI7409ADN-T1-E3TR
SI7409ADNT1E3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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