SI4936BDY-T1-E3
Modelo do Produto:
SI4936BDY-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
27891 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI4936BDY-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:35 mOhm @ 5.9A, 10V
Power - Max:2.8W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI4936BDY-T1-E3CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.9A
Número da peça base:SI4936
Email:[email protected]

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