| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 53 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 750mW (Ta) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | SI2343DS-T1-GE3DKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 33 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 30V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
