SI1426DH-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI1426DH-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
87492 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI1426DH-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-6 (SOT-363)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:75 mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:SI1426DH-T1-GE3TR
SI1426DHT1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.8A (Ta)
Email:[email protected]

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