RSH125N03TB1
RSH125N03TB1
Modelo do Produto:
RSH125N03TB1
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
67607 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
RSH125N03TB1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9.1 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:RSH125N03TB1TR
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1670pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 12.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12.5A (Ta)
Email:[email protected]

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