RJK0346DPA-01#J0B
RJK0346DPA-01#J0B
Modelo do Produto:
RJK0346DPA-01#J0B
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 65A WPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
67377 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.RJK0346DPA-01#J0B.pdf2.RJK0346DPA-01#J0B.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-WPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.8 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):65W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7650pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 65A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount 8-WPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:65A (Ta)
Email:[email protected]

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