RFV8TJ6SGC9
RFV8TJ6SGC9
Modelo do Produto:
RFV8TJ6SGC9
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACFP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
58258 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.RFV8TJ6SGC9.pdf2.RFV8TJ6SGC9.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:2.8V @ 8A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):600V
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220ACFP
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):45ns
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-2 Full Pack
Temperatura de Operação - Junção:150°C (Max)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220ACFP
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io):8A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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