RDD023N50TL
RDD023N50TL
Modelo do Produto:
RDD023N50TL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
65255 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
RDD023N50TL.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:CPT3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):20W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:RDD023N50TLTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:151pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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