PSMN015-110P,127
PSMN015-110P,127
Modelo do Produto:
PSMN015-110P,127
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
25817 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
PSMN015-110P,127.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:1727-4655
568-5772
568-5772-ND
934057141127
PSMN015-110P
PSMN015-110P,127-ND
PSMN015-110P-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):110V
Descrição detalhada:N-Channel 110V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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