NVD5C454NLT4G
NVD5C454NLT4G
Modelo do Produto:
NVD5C454NLT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
T6 40V DPAK EXPANSION AND
Quantidade:
43719 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NVD5C454NLT4G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 70µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.9 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 56W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NVD5C454NLT4G-ND
NVD5C454NLT4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:19 Weeks
Status sem chumbo:Lead free
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 20A (Ta), 84A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Ta), 84A (Tc)
Email:[email protected]

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