NTTD4401FR2
NTTD4401FR2
Modelo do Produto:
NTTD4401FR2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
73156 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NTTD4401FR2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Micro8™
Série:FETKY™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):780mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Outros nomes:NTTD4401FR2OS
NTTD4401FR2OS-ND
NTTD4401FR2OSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 2.4A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount Micro8™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.4A (Ta)
Email:[email protected]

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