NTB125N02R
NTB125N02R
Modelo do Produto:
NTB125N02R
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade:
65994 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NTB125N02R.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3440pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):24V
Descrição detalhada:N-Channel 24V 95A (Ta), 120.5A (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:95A (Ta), 120.5A (Tc)
Email:[email protected]

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