NSBA143EF3T5G
NSBA143EF3T5G
Modelo do Produto:
NSBA143EF3T5G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
71188 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NSBA143EF3T5G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-1123
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:254mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-1123
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:15 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:NSBA1*
Email:[email protected]

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