NE3521M04-A
Modelo do Produto:
NE3521M04-A
Fabricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrição:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
64729 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NE3521M04-A.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:2V
Tensão - M:3V
Tipo transistor:N-Channel
Série:-
Potência:-
Embalagem:Strip
Caixa / Gabinete:4-SMD, Flat Leads
Fator de ruído:0.85dB
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganho:10.5dB
Freqüência:20GHz
Descrição detalhada:RF Mosfet N-Channel 2V 6mA 20GHz 10.5dB
Potência nominal:15mA
Atual - Teste:6mA
Email:[email protected]

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