MTB50P03HDLG
MTB50P03HDLG
Modelo do Produto:
MTB50P03HDLG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
85902 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MTB50P03HDLG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 25A, 5V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 125W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:MTB50P03HDLG-ND
MTB50P03HDLGOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
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