| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | - |
| Tensão - Fornecimento: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia: | DRAM |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 144-µBGA (18.5x11) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 144-TFBGA |
| Outros nomes: | MT49H16M36BM-25:A TR-ND MT49H16M36BM-25:ATR |
| Temperatura de operação: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Volatile |
| Tamanho da memória: | 576Mb (16M x 36) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | DRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | DRAM Memory IC 576Mb (16M x 36) Parallel 400MHz 20ns 144-µBGA (18.5x11) |
| Freqüência de relógio: | 400MHz |
| Número da peça base: | MT49H16M36 |
| Tempo de acesso: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
