MT47H64M8SH-25E AIT:H
Modelo do Produto:
MT47H64M8SH-25E AIT:H
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
56280 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MT47H64M8SH-25E AIT:H.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:15ns
Tensão - Fornecimento:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:SDRAM - DDR2
Embalagem do dispositivo fornecedor:60-FBGA (8x10)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:60-TFBGA
Outros nomes:MT47H64M8SH-25E AIT:H-ND
MT47H64M8SH-25EAIT:H
Temperatura de operação:-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:512Mb (64M x 8)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
Freqüência de relógio:400MHz
Número da peça base:MT47H64M8
Tempo de acesso:400ps
Email:[email protected]

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