MT41J256M16HA-125:E TR
Modelo do Produto:
MT41J256M16HA-125:E TR
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
44127 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MT41J256M16HA-125:E TR.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:-
Tensão - Fornecimento:1.425 V ~ 1.575 V
Tecnologia:SDRAM - DDR3
Embalagem do dispositivo fornecedor:96-FBGA (9x14)
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:96-TFBGA
Outros nomes:MT41J256M16HA-125:E TR-ND
MT41J256M16HA-125:ETR
Temperatura de operação:0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:4Gb (256M x 16)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA (9x14)
Freqüência de relógio:800MHz
Número da peça base:MT41J256M16
Tempo de acesso:13.75ns
Email:[email protected]

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