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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Modelo do Produto:
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
57917 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:-
Tensão - Fornecimento:1.14 V ~ 1.26 V
Tecnologia:SDRAM - DDR4
Embalagem do dispositivo fornecedor:78-FBGA (8x12)
Série:-
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:78-TFBGA
Outros nomes:557-1682-1
Temperatura de operação:-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:8Gb (1G x 8)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (8x12)
Freqüência de relógio:1.2GHz
Email:[email protected]

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