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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - RF > MRF5812GR1
MRF5812GR1
MRF5812GR1
Modelo do Produto:
MRF5812GR1
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
57229 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MRF5812GR1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):15V
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
Power - Max:1.25W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:MRF5812GR1MITR
MRF5812GR1MITR-ND
MRF5812GR1TR
Temperatura de operação:-
Fator de ruído (dB Typ @ f):2dB ~ 3dB @ 500MHz
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganho:13dB ~ 15.5dB
Frequência - Transição:5GHz
Descrição detalhada:RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 50mA, 5V
Atual - Collector (Ic) (Max):200mA
Número da peça base:MRF5812
Email:[email protected]

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