| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 25V |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 350mW |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Outros nomes: | MPSH10RLRAOSCT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Fator de ruído (dB Typ @ f): | - |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ganho: | - |
| Frequência - Transição: | 650MHz |
| Descrição detalhada: | RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 60 @ 4mA, 10V |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | - |
| Número da peça base: | MPSH10 |
| Email: | [email protected] |
