| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 12V |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 200W |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Temperatura de operação: | - |
| Fator de ruído (dB Typ @ f): | - |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | - |
| Frequência - Transição: | 2GHz |
| Descrição detalhada: | RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 200W Through Hole TO-92-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 25 @ 3mA, 1V |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 50mA |
| Número da peça base: | MPS5179 |
| Email: | [email protected] |
