| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms |
| Power - Max: | 246mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número da peça base: | MMUN22**L |
| Email: | [email protected] |
