MBRB8H100T4G
MBRB8H100T4G
Modelo do Produto:
MBRB8H100T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
60473 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MBRB8H100T4G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:710mV @ 8A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):100V
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:SWITCHMODE™
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:MBRB8H100T4G-ND
MBRB8H100T4GOSTR
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Schottky
Descrição detalhada:Diode Schottky 100V 8A Surface Mount D2PAK
Atual - dispersão reversa @ Vr:4.5µA @ 100V
Atual - rectificada média (Io):8A
Capacitância @ Vr, F:600pF @ 4V, 1MHz
Número da peça base:MBRB8H100
Email:[email protected]

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