MBR10100MFST1G
MBR10100MFST1G
Modelo do Produto:
MBR10100MFST1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
39686 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MBR10100MFST1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:950mV @ 10A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):100V
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN, 5 Leads
Outros nomes:MBR10100MFST1G-ND
MBR10100MFST1GOSTR
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Schottky
Descrição detalhada:Diode Schottky 100V 10A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Atual - dispersão reversa @ Vr:100µA @ 100V
Atual - rectificada média (Io):10A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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