MB85R4M2TFN-G-ASE1
MB85R4M2TFN-G-ASE1
Modelo do Produto:
MB85R4M2TFN-G-ASE1
Fabricante:
Fujitsu Electronics America, Inc.
Descrição:
IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
58498 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf2.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:150ns
Tensão - Fornecimento:1.8 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FRAM (Ferroelectric RAM)
Embalagem do dispositivo fornecedor:44-TSOP
Série:-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Outros nomes:865-1266
865-1266-1
865-1266-1-ND
Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tipo de memória:Non-Volatile
Tamanho da memória:4Mb (256K x 16)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:FRAM
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 150ns 44-TSOP
Tempo de acesso:150ns
Email:[email protected]

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