| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 200mA, 2A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-126-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.3W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-225AA, TO-126-3 |
| Outros nomes: | KSB1151YS-ND KSB1151YSFS |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 2A, 1V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 5A |
| Número da peça base: | KSB1151 |
| Email: | [email protected] |
