| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-5 |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/251 |
| Power - Max: | 800mW |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Outros nomes: | 1086-20670 1086-20670-MIL |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 23 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-5 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 150mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 10nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
