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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > JAN2N5013
JAN2N5013
Modelo do Produto:
JAN2N5013
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
NPN TRANSISTOR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
RoHS não compatível
Quantidade:
80825 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
JAN2N5013.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):800V
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-5
Série:Military, MIL-PRF-19500/727
Status de RoHS:RoHS non-compliant
Power - Max:1W
Caixa / Gabinete:TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Temperatura de operação:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 20mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):10nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):200mA
Email:[email protected]

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