JAN1N6640US
Modelo do Produto:
JAN1N6640US
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade:
74615 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
JAN1N6640US.pdf

Introdução

JAN1N6640US melhor preço e entrega rápida.
BOSER Technology é o distribuidor para JAN1N6640US, temos as ações para o transporte imediato e também está disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor, envie-nos o seu plano de compra para JAN1N6640US por e-mail, nós lhe daremos um melhor preço de acordo com o seu plano.
Nosso email: [email protected]

Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1V @ 300mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):50V
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-5B
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Military, MIL-PRF-19500/609
Inversa de tempo de recuperação (trr):4ns
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SQ-MELF, B
Outros nomes:1086-20014
1086-20014-MIL
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 50V 300mA Surface Mount D-5B
Atual - dispersão reversa @ Vr:100nA @ 50V
Atual - rectificada média (Io):300mA
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações