IXTI10N60P
IXTI10N60P
Modelo do Produto:
IXTI10N60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
57464 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXTI10N60P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-262 (I2PAK)
Série:PolarHV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:740 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):200W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1610pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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