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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTH12N100Q
IXTH12N100Q
IXTH12N100Q
Modelo do Produto:
IXTH12N100Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
78331 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXTH12N100Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 (IXTH)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 12A (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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