IXTF2N300P3
Modelo do Produto:
IXTF2N300P3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH
Quantidade:
50268 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXTF2N300P3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS i4-PAC™
Série:Polar™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:21 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):160W (Tc)
Caixa / Gabinete:ISOPLUSi5-Pak™
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:73nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):3000V
Descrição detalhada:N-Channel 3000V 1.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

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