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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTC180N085T
IXTC180N085T
IXTC180N085T
Modelo do Produto:
IXTC180N085T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
44814 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.IXTC180N085T.pdf2.IXTC180N085T.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS220™
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.1 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):150W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:ISOPLUS220™
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):85V
Descrição detalhada:N-Channel 85V 110A (Tc) 150W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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