IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P
Modelo do Produto:
IXTA2R4N120P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
53082 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXTA2R4N120P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263 (IXTA)
Série:Polar™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):125W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1207pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V
Descrição detalhada:N-Channel 1200V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.4A (Tc)
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