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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > IXGN80N60A2D1
IXGN80N60A2D1
IXGN80N60A2D1
Modelo do Produto:
IXGN80N60A2D1
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT 600V 160A FRD SOT-227B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
92539 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXGN80N60A2D1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.35V @ 15V, 80A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:-
Power - Max:625W
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
Descrição detalhada:IGBT Module Single 600V 160A 625W Chassis Mount SOT-227B
Atual - Collector Cutoff (Max):650µA
Atual - Collector (Ic) (Max):160A
Configuração:Single
Email:[email protected]

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