IXFX34N80
IXFX34N80
Modelo do Produto:
IXFX34N80
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
62337 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXFX34N80.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PLUS247™-3
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:240 mOhm @ 17A, 10V
Dissipação de energia (Max):560W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição detalhada:N-Channel 800V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

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