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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFR12N100
IXFR12N100
IXFR12N100
Modelo do Produto:
IXFR12N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
76743 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXFR12N100.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS247™
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.1 Ohm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:ISOPLUS247™
Outros nomes:Q1157068A
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Through Hole
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 10A (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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