IXFH12N90
IXFH12N90
Modelo do Produto:
IXFH12N90
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
44324 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXFH12N90.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247AD (IXFH)
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:900 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição detalhada:N-Channel 900V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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