IRFH5301TRPBF
IRFH5301TRPBF
Modelo do Produto:
IRFH5301TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
57663 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IRFH5301TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PQFN (5x6) Single Die
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.85 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.6W (Ta), 110W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:IRFH5301TRPBF-ND
IRFH5301TRPBFTR
SP001556462
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5114pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 35A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:35A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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