| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 30 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1340pF @ 16V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7A 2W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 7A |
| Email: | [email protected] |
