| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 150µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | D2PAK (7-Lead) |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4.9 mOhm @ 88A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 230W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Outros nomes: | *IRF1405ZS-7P |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5360pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 230nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 55V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 55V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
