IRF100P218XKMA1
IRF100P218XKMA1
Modelo do Produto:
IRF100P218XKMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
TRENCH_MOSFETS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
29922 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IRF100P218XKMA1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 278µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247AC
Série:StrongIRFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.28 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):556W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:SP001619550
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:25000pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:555nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Email:[email protected]

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