IPB79CN10N G
IPB79CN10N G
Modelo do Produto:
IPB79CN10N G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
32693 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IPB79CN10N G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 12µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:79 mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max):31W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IPB79CN10N G-ND
IPB79CN10NG
SP000277697
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:716pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 13A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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