HN1B04FE-Y,LF
HN1B04FE-Y,LF
Modelo do Produto:
HN1B04FE-Y,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
89716 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
HN1B04FE-Y,LF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6
Série:-
Power - Max:100mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:HN1B04FE-Y(T5L,F,T
HN1B04FE-Y(T5LFTTR
HN1B04FE-Y(T5LFTTR-ND
HN1B04FE-Y,LF(B
HN1B04FE-Y,LF(T
HN1B04FE-YLF(TTR
HN1B04FE-YLF(TTR-ND
HN1B04FE-YLFTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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