GAP3SLT33-220FP
GAP3SLT33-220FP
Modelo do Produto:
GAP3SLT33-220FP
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
48032 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
GAP3SLT33-220FP.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.7V @ 300mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):3300V
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220FP
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):0ns
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-2 Full Pack
Outros nomes:1242-1183
GAP3SLT33220FP
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Silicon Carbide Schottky
Descrição detalhada:Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP
Atual - dispersão reversa @ Vr:5µA @ 3300V
Atual - rectificada média (Io):300mA
Capacitância @ Vr, F:42pF @ 1V, 1MHz
Número da peça base:GAP3SLT33
Email:[email protected]

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