FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD
Modelo do Produto:
FGL60N100BNTD
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 1000V 60A 180W TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
40472 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FGL60N100BNTD.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1000V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.9V @ 15V, 60A
Condição de teste:600V, 60A, 51 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:140ns/630ns
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-264
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):1.2µs
Power - Max:180W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-264-3, TO-264AA
Outros nomes:FGL60N100BNTD-ND
FGL60N100BNTDFS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT and Trench
portão de carga:275nC
Descrição detalhada:IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
Atual - Collector Pulsada (ICM):120A
Atual - Collector (Ic) (Max):60A
Email:[email protected]

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