FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155
Modelo do Produto:
FGH50T65SQD-F155
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
650V FS4 TRENCH IGBT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
93602 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FGH50T65SQD-F155.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Condição de teste:400V, 12.5A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:22ns/105ns
Alternando Energia:180µJ (on), 45µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-3
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):31ns
Power - Max:268W
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:FGH50T65SQD-F155-ND
FGH50T65SQD-F155OS
FGH50T65SQD_F155
FGH50T65SQD_F155-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:99nC
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 650V 100A 268W Through Hole TO-247-3
Atual - Collector Pulsada (ICM):200A
Atual - Collector (Ic) (Max):100A
Email:[email protected]

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