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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > FF200R17KE4HOSA1
FF200R17KE4HOSA1
Modelo do Produto:
FF200R17KE4HOSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Quantidade:
77187 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FF200R17KE4HOSA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1700V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.3V @ 15V, 200A
Embalagem do dispositivo fornecedor:Module
Série:-
Power - Max:1250W
Caixa / Gabinete:Module
Outros nomes:FF200R17KE4
FF200R17KE4-ND
SP000713374
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:18nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descrição detalhada:IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700V 310A 1250W Chassis Mount Module
Atual - Collector Cutoff (Max):1mA
Atual - Collector (Ic) (Max):310A
Configuração:2 Independent
Email:[email protected]

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