FDP86363-F085
Modelo do Produto:
FDP86363-F085
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
71038 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDP86363-F085.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.8 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:FDP86363_F085
FDP86363_F085-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10000pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição detalhada:N-Channel 80V 110A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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